Tokyo, 2007年3月2日, AEST (ABN Newswire) - 為了滿足日益增長的巿場需求，昭和電工集團（SDK）研究出一種製造氮化鎵（GaN）基及其他氮化物基優質複合半導體的新工藝，主要用于藍色和白色發光二極管（LED）。
這種新工藝稱為“混合PPD工藝”，是常規的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝和昭和集團特有的等離子輔助物理沉積（PPD）工藝的結合。PPD工藝用于生成氮化物基半導體晶體。
利用這種新工藝，可以生產出用傳統的金屬有機化學氣相沉積加工（MOCVD）工藝不可能生產的優質四英寸外延片（epitaxial wafer）。 利用混合PPD工藝，昭和（SDK）還成功地研製出目前巿面上亮度最高的藍色發光二極管。 昭和（SDK）將在今年把這種藍色發光二極管推出市場。
昭和電工集團（SDK）已決定在日本千葉（Chiba）分公司建設生產線，利用這種新工藝的技術生產四英寸外延片。由於採用新技術生產出來的晶片較大，再加上新建的生產線，昭和電工集團（SDK）的藍色發光二極管生產能力將大大增加，目前每月產量為3千萬只，到今年年底將增加到每月1億只。
混合PPD新工藝簡介
目前，氮化鎵基藍色或白色發光二極管（典型的氮化物基複合半導體）的照明效率已經超過了其他光源（例如白熾燈、日光燈），但批量生產優質外延片的新技術仍然是非常需要的。
昭和電工集團（SDK）的混合PPD新工藝，可以確保顯著提高效率，併能生產出晶體質量更好的四英寸外延片（epitaxial wafer）。
同時，昭和電工集團（SDK）的混合PPD新工藝，在多年積累的外延生長工藝的基礎上，可以生產出多層的優質晶體；而且生產效率比傳統的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝更高。 昭和電工集團（SDK）的混合PPD工藝技術已經申請了30多項專利。
根據X射線搖擺曲線（XRC）法分析，用PPD工藝生產出來的藍寶石基片，在上面所形成的單晶氮化物層與用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝生產的類似產品相比，其結晶品質顯示出顯著改善。
術語
⒈氮化物基複合半導體
基於(Alx,Gay,In1-x-y)N的複合半導體的通稱，主要用于生產紫外線及綠色發光二極管和藍色激光二極管（LD）。作為新型的電子器件材料，這些產品正引起人們的重視。
⒉ 氮化鎵（GaN）基發光二極管
根據不同的成分，氮化鎵基發光二極管可以發出從紫外線到綠光的各種光。如果將紫外線或藍色發光二極管同熒光物質結合起來，就有可能生產出波長範圍很廣的發光二極管。（熒光物質是一種發光的物質，能夠將所吸收的部分光線轉換成不同波長的光輻射並放射出來。）
⒊外延生長
一種形成半導體層的技術，在襯底上面所形成的晶體層，其晶向與襯底相同。
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