Tokyo, 2007年2月28日, AEST (ABN Newswire) - 为了满足日益增长的市场需求，昭和电工集团（SDK）研究出一种制造氮化镓（GaN）基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色发光二极管（LED）。
这种新工艺称为“混合PPD工艺”，是常规的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺和昭和集团特有的等离子辅助物理沉积（PPD）工艺的结合。PPD工艺用于生成氮化物基半导体晶体。
利用这种新工艺，可以生产出用传统的金属有机化学气相沉积加工（MOCVD）工艺不可能生产的优质四英寸外延片（epitaxial wafer）。 利用混合PPD工艺，昭和（SDK）还成功地研制出目前市面上亮度最高的蓝色发光二极管。 昭和（SDK）将在今年把这种蓝色发光二极管推出市场。
昭和电工集团（SDK）已决定在日本千叶（Chiba）分公司建设生产线，利用这种新工艺的技术生产四英寸外延片。由于采用新技术生产出来的晶片较大，再加上新建的生产线，昭和电工集团（SDK）的蓝色发光二极管生产能力将大大增加，目前每月产量为3千万只，到今年年底将增加到每月1亿只。
混合PPD新工艺简介
目前，氮化镓基蓝色或白色发光二极管（典型的氮化物基复合半导体）的照明效率已经超过了其他光源（例如白炽灯、日光灯），但批量生产优质外延片的新技术仍然是非常需要的。
昭和电工集团（SDK）的混合PPD新工艺，可以确保显著提高效率，并能生产出晶体质量更好的四英寸外延片（epitaxial wafer）。
同时，昭和电工集团（SDK）的混合PPD新工艺，在多年积累的外延生长工艺的基础上，可以生产出多层的优质晶体；而且生产效率比传统的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺更高。 昭和电工集团（SDK）的混合PPD工艺技术已经申请了30多项专利。
根据X射线摇摆曲线（XRC）法分析，用PPD工艺生产出来的蓝宝石基片，在上面所形成的单晶氮化物层与用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生产的类似产品相比，其结晶品质显示出显著改善。
术语
⒈氮化物基复合半导体
基于(Alx,Gay,In1-x-y)N的复合半导体的通称，主要用于生产紫外线及绿色发光二极管和蓝色激光二极管（LD）。作为新型的电子器件材料，这些产品正引起人们的重视。
⒉ 氮化镓（GaN）基发光二极管
根据不同的成分，氮化镓基发光二极管可以发出从紫外线到绿光的各种光。如果将紫外线或蓝色发光二极管同荧光物质结合起来，就有可能生产出波长范围很广的发光二极管。（荧光物质是一种发光的物质，能够将所吸收的部分光线转换成不同波长的光辐射并放射出来。）
⒊外延生长
一种形成半导体层的技术，在衬底上面所形成的晶体层，其晶向与衬底相同。
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